晶体生长过程的德国DIAS红外测温仪应用

单晶硅炉常使用型号

1、二线制红外测温仪DG42N(350~1800°C)

2、二线制红外测温仪DS42N(600~2500°C)

3、二线制红外测温仪DG40N(350~1800°C)

4、二线制红外测温仪DS40N(600~2500°C)

5、四线制红外测温仪DG44N(350~1800°C)

6、四线制红外测温仪DS44N(600~2500°C)

多晶硅炉常使用双色红外测温仪

1、低价格双色红外测温仪DSR44N(700~1800°C)

2、中价格双色红外测温仪DSR54N(700~1800°C)

3、中价格双色红外测温仪DSR56N(700~1800°C)

4、高精度双色红外测温仪DSR10N(700~1800°C)

测量空间有限时，推荐使用光纤红外测温仪

1、二线制红外测温仪DSF40N(600~1800°C)

2、二线制红外测温仪DGF40N(350~1800°C)

3、四线制红外测温仪DSF44N(600~1800°C)

4、四线制红外测温仪DGF44N(350~1800°C)

简述

太阳能行业的晶圆生产需要用到单晶硅或多晶硅，是在所谓的晶体生长炉，即单晶硅炉或多晶硅炉拉晶生长的。

这种从炉内生长的单晶或多晶硅，是要从结晶炉(即单晶硅炉或多晶硅炉)熔液慢慢冷却生长出来的。测量这种过程的结晶熔液的温度很重要，同样控制这个结晶过程的加热元件的温度也很重要。这两种温度必须要协调好，才能确保最优的晶体生长过程。

太阳能单晶炉可使用的DIAS红外测温仪有10、40、44、54、56这些系列，都可以用来测量晶体生长的熔化温度，性价比较高的40、42、44系列型号有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均为短波红外测温仪，测温范围800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。

多晶硅炉也可使用双色红外测温仪DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通过总线连接到现有控制系统。

在测量空间有限时，推荐使用光纤电缆和小光纤探头的光纤红外测温仪；低价格型号有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，最小的光纤探头的光圈为12mm，测温范围可以选600~1800°C。另外，可以选择90°镜像附件或弯曲的光纤电缆。测量光斑仅仅几个毫米。 

不管是哪一种测量任务，都可以选择好合适的红外测温仪参数，获得最优的效果，观测和控制获得最佳的晶体生长。